-
Samsung Dysk SSD Samsung 990 PRO Heatsink 2TB M.2 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe (7450/6900 MB/s)
Введіть адресу електронної пошти |
Доставка в межах | 24 години |
Доступність | Brak towaru 0 ПК. |
Залишити свій телефон |
Rodzina dysków: 990 PRO
Pojemność dysku: 2 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 7450 MB/s
Prędkość zapisu (max): 6900 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 1200.0
Odczyt losowy: 1400000 IOPS
Zapis losowy: 1550000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: PCIe Gen 4.0 x 4, NVMe, Samsung V-NAND 3-bit MLC, Wymiary 80 x 24,3 x 8,2 mm (z radiatorem), Waga: Maks. 28,0 g, Pamieć podręczna: Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM, 256-bitowe szyfrowanie AES (Klasa 0), TCG / Opal IEEE1667 (Dysk szyfrowany), Dopuszczalne napięcie: 3,3 V ± 5 %, Odporność na wstrząsy: 1,500 G & 0.5 ms (Half sine)
Gwarancja producenta: 60
Pojemność dysku: 2 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 7450 MB/s
Prędkość zapisu (max): 6900 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 1200.0
Odczyt losowy: 1400000 IOPS
Zapis losowy: 1550000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: PCIe Gen 4.0 x 4, NVMe, Samsung V-NAND 3-bit MLC, Wymiary 80 x 24,3 x 8,2 mm (z radiatorem), Waga: Maks. 28,0 g, Pamieć podręczna: Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM, 256-bitowe szyfrowanie AES (Klasa 0), TCG / Opal IEEE1667 (Dysk szyfrowany), Dopuszczalne napięcie: 3,3 V ± 5 %, Odporność na wstrząsy: 1,500 G & 0.5 ms (Half sine)
Gwarancja producenta: 60
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Pojemność dysku:
2 TB
Gwarancja producenta:
60
Format dysku:
M.2 2280
Typ dysku:
SSD
Typ złącza:
M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max):
7450 MB/s
Prędkość zapisu (max):
6900 MB/s
Rodzina dysków:
990 PRO
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
1200.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Odczyt losowy:
1400000 IOPS
Zapis losowy:
1550000 IOPS
В даний час немає коментарів або оцінки для цього продукту.
- Виробники