• Samsung Dysk SSD Samsung 990 EVO 1TB M.2 2280 PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0 (5000/4200 MB/s)

The Symbol : MZ-V9E1T0BW
No goods
683.00
Enter your email
Shipping within 24 hours
The Availability Of Brak towaru
Leave your phone
Rodzina dysków: 990 EVO

Pojemność dysku: 1 TB

Format dysku: M.2 2280

Typ dysku: SSD

Typ kości pamięci: V-NAND

Technika zapisywania danych: TLC

Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak

Wsparcie dla technologii TRIM: Tak

Interfejs: M.2 PCIe NVMe

Typ złącza: M.2 (NGFF)

Prędkość odczytu (max): 5000 MB/s

Prędkość zapisu (max): 4200 MB/s

Odczyt losowy: 700000 IOPS

Zapis losowy: 800000 IOPS

Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h

Informacje dodatkowe: Pamięć zapisu: Samsung V-NAND 3-bit TLC, Wymiary: 80 x 22 x 2.3 mm, Waga: Maks. 9 g, Interfejs: PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0, Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy), Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)

Gwarancja producenta: 60
Interfejs:
M.2 PCIe NVMe
Pojemność dysku:
1 TB
Gwarancja producenta:
60
Format dysku:
M.2 2280
Typ dysku:
SSD
Typ złącza:
M.2 (NGFF)
Technika zapisywania danych:
TLC
Prędkość odczytu (max):
5000 MB/s
Prędkość zapisu (max):
4200 MB/s
Rodzina dysków:
990 EVO
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Odczyt losowy:
700000 IOPS
Zapis losowy:
800000 IOPS
Typ kości pamięci:
V-NAND
There is currently no comments or ratings for this product.
  • Rate

The Whole Thing
The Functionality Of The
Price
The Signature Of The
Opinion Of The
The Signature Of The
Email
Ask a question