![[{[item.product.name]}]]([{[item.product.photo.url]}] 125w)
-
Samsung Dysk SSD Samsung 990 EVO 1TB M.2 2280 PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0 (5000/4200 MB/s)
Символ :
MZ-V9E1T0BW
| Введіть адресу електронної пошти |
| Доставка в межах | 24 години |
| Доступність |
Brak towaru
|
| Залишити свій телефон |
Rodzina dysków: 990 EVO
Pojemność dysku: 1 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 5000 MB/s
Prędkość zapisu (max): 4200 MB/s
Odczyt losowy: 700000 IOPS
Zapis losowy: 800000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Pamięć zapisu: Samsung V-NAND 3-bit TLC, Wymiary: 80 x 22 x 2.3 mm, Waga: Maks. 9 g, Interfejs: PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0, Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy), Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)
Gwarancja producenta: 60
Pojemność dysku: 1 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 5000 MB/s
Prędkość zapisu (max): 4200 MB/s
Odczyt losowy: 700000 IOPS
Zapis losowy: 800000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Pamięć zapisu: Samsung V-NAND 3-bit TLC, Wymiary: 80 x 22 x 2.3 mm, Waga: Maks. 9 g, Interfejs: PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0, Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy), Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)
Gwarancja producenta: 60
Interfejs:
M.2 PCIe NVMe
Pojemność dysku:
1 TB
Gwarancja producenta:
60
Format dysku:
M.2 2280
Typ dysku:
SSD
Typ złącza:
M.2 (NGFF)
Technika zapisywania danych:
TLC
Prędkość odczytu (max):
5000 MB/s
Prędkość zapisu (max):
4200 MB/s
Rodzina dysków:
990 EVO
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Odczyt losowy:
700000 IOPS
Zapis losowy:
800000 IOPS
Typ kości pamięci:
V-NAND
В даний час немає коментарів або оцінки для цього продукту.
- Виробники
Professional e-commerce software
