![Enerson - laptopy - komputery - serwis](/upload/enerson/logos//Logo_nowe_2019.png)
-
-
Koszyk jest pustySuma 0
-
Samsung Dysk SSD Samsung 980 500GB M.2 2280 PCIe 3.0 x4 NVMe (3100/2600 MB/s) TLC
![Samsung Dysk SSD Samsung 980 500GB M.2 2280 PCIe 3.0 x4 NVMe (3100/2600 MB/s) TLC Samsung Dysk SSD Samsung 980 500GB M.2 2280 PCIe 3.0 x4 NVMe (3100/2600 MB/s) TLC](/images/enerson/370000-371000/Samsung-Dysk-SSD-Samsung-980-500GB-M-2-2280-PCIe-3-0-4-NVMe-31002600-MBs-TLC_%5B370423%5D_480.jpg)
![Samsung Dysk SSD Samsung 980 500GB M.2 2280 PCIe 3.0 x4 NVMe (3100/2600 MB/s) TLC Samsung Dysk SSD Samsung 980 500GB M.2 2280 PCIe 3.0 x4 NVMe (3100/2600 MB/s) TLC](/images/enerson/370000-371000/Samsung-Dysk-SSD-Samsung-980-500GB-M-2-2280-PCIe-3-0-4-NVMe-31002600-MBs-TLC_%5B370423%5D_480.jpg)
310.00
Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
Dostępność |
Duża dostępność
|
Zamówienie telefoniczne: 517694788
Zostaw telefon |
Rodzina dysków: 980
Pojemność dysku: 500 GB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 3100 MB/s
Prędkość zapisu (max): 2600 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 300.0
Odczyt losowy: 400000 IOPS
Zapis losowy: 470000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.4, Samsung V-NAND 3-bitowy MLC, Wymiary (SxWxG): 80,15 x 22,15 x 2,38 (mm), Waga: Maks. 8,0 g, Kontroler Samsung Pablo, Pamieć podręczna HMB (Host Memory Buffer), Algorytm Auto Garbage Collection, 256-bitowe szyfrowanie AES (klasa 0) TCG / Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany), Tryb uśpienia, Średni pobór mocy: Średnio: 4,3 W Maksymalnie: 5,9 W (tryb Burst), Odporność na wstrząsy: 1500 G & 0,5 ms (półsinus), Oprogramowanie Magician do zarządzania SSD
Pojemność dysku: 500 GB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 3100 MB/s
Prędkość zapisu (max): 2600 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 300.0
Odczyt losowy: 400000 IOPS
Zapis losowy: 470000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.4, Samsung V-NAND 3-bitowy MLC, Wymiary (SxWxG): 80,15 x 22,15 x 2,38 (mm), Waga: Maks. 8,0 g, Kontroler Samsung Pablo, Pamieć podręczna HMB (Host Memory Buffer), Algorytm Auto Garbage Collection, 256-bitowe szyfrowanie AES (klasa 0) TCG / Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany), Tryb uśpienia, Średni pobór mocy: Średnio: 4,3 W Maksymalnie: 5,9 W (tryb Burst), Odporność na wstrząsy: 1500 G & 0,5 ms (półsinus), Oprogramowanie Magician do zarządzania SSD
Interfejs | M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe |
Pojemność dysku | 500 GB |
Format dysku | M.2 2280 |
Typ dysku | SSD |
Typ złącza | M.2 (NGFF) |
Technika zapisywania danych | TLC |
Prędkość odczytu (max) | 3100 MB/s |
Prędkość zapisu (max) | 2600 MB/s |
Rodzina dysków | 980 |
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) | 1500000 h |
Wsparcie dla technologii TRIM | Tak |
TBW (ang. Total Bytes Written) | 300.0 |
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T. | Tak |
Odczyt losowy | 400000 IOPS |
Zapis losowy | 470000 IOPS |
Typ kości pamięci | V-NAND |
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
- Producenci