![[{[item.product.name]}]]([{[item.product.photo.url]}] 125w)
-
Samsung Dysk SSD Samsung 870 EVO 500GB 2,5" SATA3 (560/530) V-NAND 3bit MLC
Символ :
MZ-77E500B/EU
| Введіть адресу електронної пошти |
| Доставка в межах | 24 години |
| Доступність |
Brak towaru
|
| Залишити свій телефон |
Pojemność dysku: 500 GB
Format dysku: 2,5 cala
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Technika zapisywania danych: MLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Cache: 512 MB
Interfejs: SATA III (6 Gb/s)
Typ złącza: 7-pin S-ATA
Prędkość odczytu (max): 560 MB/s
Prędkość zapisu (max): 530 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 300.0
Odczyt losowy: 98000 IOPS
Zapis losowy: 88000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Storage memory: Samsung V-NAND 3bit MLC, Dimension (WxHxD): 100 X 69.85 X 6.8 (mm), Weight: Apporx. 45.0g, Controller: Samsung MKX Controller, Cache Memory: Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM, Auto Garbage Collection Algorithm, AES 256-bit Encryption (Class 0),TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted drive)
Format dysku: 2,5 cala
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Technika zapisywania danych: MLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Cache: 512 MB
Interfejs: SATA III (6 Gb/s)
Typ złącza: 7-pin S-ATA
Prędkość odczytu (max): 560 MB/s
Prędkość zapisu (max): 530 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 300.0
Odczyt losowy: 98000 IOPS
Zapis losowy: 88000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Storage memory: Samsung V-NAND 3bit MLC, Dimension (WxHxD): 100 X 69.85 X 6.8 (mm), Weight: Apporx. 45.0g, Controller: Samsung MKX Controller, Cache Memory: Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM, Auto Garbage Collection Algorithm, AES 256-bit Encryption (Class 0),TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted drive)
Interfejs:
SATA III (6 Gb/s)
Pojemność dysku:
500 GB
Format dysku:
2,5 cala
Typ dysku:
SSD
Typ złącza:
7-pin S-ATA
Kolor obudowy:
Czarny (Black)
Technika zapisywania danych:
MLC
Prędkość odczytu (max):
560 MB/s
Prędkość zapisu (max):
530 MB/s
Cache:
512 MB
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
300.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Odczyt losowy:
98000 IOPS
Zapis losowy:
88000 IOPS
Typ kości pamięci:
V-NAND
В даний час немає коментарів або оцінки для цього продукту.
- Виробники
Professional e-commerce software
