![[{[item.product.name]}]]([{[item.product.photo.url]}] 125w)
-
SILICON POWER Dysk SSD Silicon Power A55 512GB M.2 2280 SATA3 (560/530 MB/s)
Символ :
SP512GBSS3A55M28
| Введіть адресу електронної пошти |
| Доставка в межах | 24 години |
| Доступність |
Brak towaru
|
| Залишити свій телефон |
Pojemność dysku: 512 GB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: SATA III (6 Gb/s)
Prędkość odczytu (max): 560 MB/s
Prędkość zapisu (max): 530 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Format wykonania: M.2 2280-D5-B-M, Wymiary: 22.0 x 80.0 x 3.5 mm, Waga: 8g, Temperatura pracy: 0°C-70°C, Temperatura przechowywanie: -40°C-85°C, Wspiera Intel® Smart Response Technology (ISRT), Technologia bufora SLC, większa wydajność i zwiększona żywotność, Wspiera szereg mechanizmów: S.M.A.R.T, ECC, Bad Block Management, Wspiera NCQ, TRIM
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: SATA III (6 Gb/s)
Prędkość odczytu (max): 560 MB/s
Prędkość zapisu (max): 530 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Format wykonania: M.2 2280-D5-B-M, Wymiary: 22.0 x 80.0 x 3.5 mm, Waga: 8g, Temperatura pracy: 0°C-70°C, Temperatura przechowywanie: -40°C-85°C, Wspiera Intel® Smart Response Technology (ISRT), Technologia bufora SLC, większa wydajność i zwiększona żywotność, Wspiera szereg mechanizmów: S.M.A.R.T, ECC, Bad Block Management, Wspiera NCQ, TRIM
В даний час немає коментарів або оцінки для цього продукту.
- Виробники
Professional e-commerce software
