![[{[item.product.name]}]]([{[item.product.photo.url]}] 125w)
-
SAMSUNG Dysk SSD Samsung MZ-QL21T900 1,92TB 2,5" NVMe U.2 PCIe 4.0 x4 (6800/2700 MB/s)
Символ :
MZQL21T9HCJR-00W07
1964.00
| Доставка в межах | 24 години |
| Доступність |
Mało
|
Zamówienie telefoniczne: 517694788
| Залишити свій телефон |
Pojemność dysku: 1,92 TB
Format dysku: 2,5" U.2
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: PCIe NVMe 4.0 x4
Prędkość odczytu (max): 6800 MB/s
Prędkość zapisu (max): 2700 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 3504.0
Odczyt losowy: 850000 IOPS
Zapis losowy: 130000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Informacje dodatkowe: Wymiary: 100,2 x 69,85 x 7 mm, Temperatura pracy: 0-70°C, Odporność na wstrząsy: 1.500 G
Format dysku: 2,5" U.2
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: PCIe NVMe 4.0 x4
Prędkość odczytu (max): 6800 MB/s
Prędkość zapisu (max): 2700 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 3504.0
Odczyt losowy: 850000 IOPS
Zapis losowy: 130000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Informacje dodatkowe: Wymiary: 100,2 x 69,85 x 7 mm, Temperatura pracy: 0-70°C, Odporność na wstrząsy: 1.500 G
Interfejs:
PCIe NVMe 4.0 x4
Pojemność dysku:
1,92 TB
Format dysku:
2,5" U.2
Typ dysku:
SSD
Technika zapisywania danych:
TLC
Prędkość odczytu (max):
6800 MB/s
Prędkość zapisu (max):
2700 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
2000000 h
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
3504.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Odczyt losowy:
850000 IOPS
Zapis losowy:
130000 IOPS
Typ kości pamięci:
V-NAND
В даний час немає коментарів або оцінки для цього продукту.
- Виробники
Professional e-commerce software
