• SAMSUNG Dysk SSD Samsung 990 PRO 4TB M.2 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe (7450/6900 MB/s)

Symbol: MZ-V9P4T0BW
1722.00
szt. Do przechowalni
Wysyłka w ciągu 24 godziny
Dostępność Mało

Zamówienie telefoniczne: 517694788

Zostaw telefon
Rodzina dysków: 990 PRO

Pojemność dysku: 4 TB

Format dysku: M.2 2280

Typ dysku: SSD

Typ kości pamięci: V-NAND

Technika zapisywania danych: TLC

Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak

Wsparcie dla technologii TRIM: Tak

Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe

Typ złącza: M.2 (NGFF)

Prędkość odczytu (max): 7450 MB/s

Prędkość zapisu (max): 6900 MB/s

TBW (ang. Total Bytes Written): 1200.0

Odczyt losowy: 1600000 IOPS

Zapis losowy: 1550000 IOPS

Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h

Informacje dodatkowe: Wymiary: 80 x 22 x 2.3 mm, Waga: Maks. 9 g, PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0, Algorytm Auto Garbage Collection, Szyfrowanie AES 256-bit (Klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (Dysk szyfrowany), Dopuszczalne napięcie: 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy: 0-70°C, Odporność na wstrząsy: 1500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy)

Gwarancja producenta: 60
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Pojemność dysku:
4 TB
Gwarancja producenta:
60
Format dysku:
M.2 2280
Typ dysku:
SSD
Typ złącza:
M.2 (NGFF)
Technika zapisywania danych:
TLC
Prędkość odczytu (max):
7450 MB/s
Prędkość zapisu (max):
6900 MB/s
Rodzina dysków:
990 PRO
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
1200.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Odczyt losowy:
1600000 IOPS
Zapis losowy:
1550000 IOPS
Typ kości pamięci:
V-NAND
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
  • Oceń

Jakość
Funkcjonalność
Cena
Podpis
Opinia
Podpis
E-mail
Zadaj pytanie