-
MSI Dysk SSD MSI SPATIUM M460 1TB PCIe Gen4x4 NVMe M.2 2280 (5000/4500 MB/s) 3D NAND
Symbol:
S78-440L930-P83
Wpisz swój e-mail |
Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
Dostępność | Brak towaru 0 szt. |
Zostaw telefon |
Pojemność dysku: 1 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 5000 MB/s
Prędkość zapisu (max): 4500 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Odczyt losowy: 550000 IOPS
Zapis losowy: 950000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Interfejs: PCIe Gen4x4, NVMe 1.4, Wymiary: 80.00mm (L) x 22.00mm (W) x 2.15mm (H), Operating Temperatures: 0°C - 70°C, Controller: PHISON E21T, TRIM (Performance Optimization, OS support required), SMART (Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology), LDPC (Low Density Parity Check) ECC Algorithm, End to End Data Path Protection, APST (Autonomous Power State Transition)
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 5000 MB/s
Prędkość zapisu (max): 4500 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Odczyt losowy: 550000 IOPS
Zapis losowy: 950000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Interfejs: PCIe Gen4x4, NVMe 1.4, Wymiary: 80.00mm (L) x 22.00mm (W) x 2.15mm (H), Operating Temperatures: 0°C - 70°C, Controller: PHISON E21T, TRIM (Performance Optimization, OS support required), SMART (Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology), LDPC (Low Density Parity Check) ECC Algorithm, End to End Data Path Protection, APST (Autonomous Power State Transition)
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Pojemność dysku:
1 TB
Format dysku:
M.2 2280
Typ dysku:
SSD
Typ złącza:
M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max):
5000 MB/s
Prędkość zapisu (max):
4500 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
600.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Odczyt losowy:
550000 IOPS
Zapis losowy:
950000 IOPS
Typ kości pamięci:
3D NAND
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
- Producenci