-
MSI Dysk SSD MSI SPATIUM M371 1TB PCIe Gen3x4 NVMe M.2 2280 (2350/1700 MB/s) 3D NAND
![MSI Dysk SSD MSI SPATIUM M371 1TB PCIe Gen3x4 NVMe M.2 2280 (2350/1700 MB/s) 3D NAND MSI Dysk SSD MSI SPATIUM M371 1TB PCIe Gen3x4 NVMe M.2 2280 (2350/1700 MB/s) 3D NAND](/images/enerson/423000-424000/MSI-Dysk-SSD-MSI-SPATIUM-M371-1TB-PCIe-Gen3-4-NVMe-M-2-2280-23501700-MBs-3D-NAND_%5B423829%5D_480.jpg)
![MSI Dysk SSD MSI SPATIUM M371 1TB PCIe Gen3x4 NVMe M.2 2280 (2350/1700 MB/s) 3D NAND MSI Dysk SSD MSI SPATIUM M371 1TB PCIe Gen3x4 NVMe M.2 2280 (2350/1700 MB/s) 3D NAND](/images/enerson/423000-424000/MSI-Dysk-SSD-MSI-SPATIUM-M371-1TB-PCIe-Gen3-4-NVMe-M-2-2280-23501700-MBs-3D-NAND_%5B423829%5D_480.jpg)
The Symbol :
S78-440L870-P83
276.00
Shipping within | 24 hours |
The Availability Of |
Duża dostępność
|
Zamówienie telefoniczne: 517694788
Leave your phone |
Pojemność dysku: 1 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 2350 MB/s
Prędkość zapisu (max): 1700 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 210.0
Odczyt losowy: 90000 IOPS
Zapis losowy: 350000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Interfejs: PCIe Gen3x4, NVMe 1.3
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 2350 MB/s
Prędkość zapisu (max): 1700 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 210.0
Odczyt losowy: 90000 IOPS
Zapis losowy: 350000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Interfejs: PCIe Gen3x4, NVMe 1.3
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe
Pojemność dysku:
1 TB
Format dysku:
M.2 2280
Typ dysku:
SSD
Typ złącza:
M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max):
2350 MB/s
Prędkość zapisu (max):
1700 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
210.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Odczyt losowy:
90000 IOPS
Zapis losowy:
350000 IOPS
Typ kości pamięci:
3D NAND
Manufacturer details
Micro-Star Int'L Co., Ltd.
NO.69,LIDE ST.,ZHONEGHE DIST.
235 NEW TAIPEI CITY
Taiwan
886930361931
There is currently no comments or ratings for this product.
- Manufacturers