![[{[item.product.name]}]]([{[item.product.photo.url]}] 125w)
-
HIKSEMI Dysk SSD HIKSEMI FUTURE eco 512GB M.2 PCIe Gen4x4 NVMe 2280 (5000/2500 MB/s) 3D TLC
The Symbol :
HS-SSD-FUTURE Eco(STD)/512G/PCIE4/WW
| Enter your email |
| Shipping within | 24 hours |
| The Availability Of |
Brak towaru
|
| Leave your phone |
Pojemność dysku: 512 GB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Prędkość odczytu (max): 5000 MB/s
Prędkość zapisu (max): 2500 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 900.0
Odczyt losowy: 430000 IOPS
Zapis losowy: 530000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Maksymalny pobór prądu: 1.1 W, AES-256/SM4/TCG-Opal 2.0/IEEE1667, Third-generation Agile ECC technology (4K LDPC), end-to-end data protection, RAID5 & 6, Temperatura pracy: 0°C - 70°C (32°F - 158°F, Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C (-40°F - 185°F)
Gwarancja producenta: 60
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Prędkość odczytu (max): 5000 MB/s
Prędkość zapisu (max): 2500 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 900.0
Odczyt losowy: 430000 IOPS
Zapis losowy: 530000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Maksymalny pobór prądu: 1.1 W, AES-256/SM4/TCG-Opal 2.0/IEEE1667, Third-generation Agile ECC technology (4K LDPC), end-to-end data protection, RAID5 & 6, Temperatura pracy: 0°C - 70°C (32°F - 158°F, Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C (-40°F - 185°F)
Gwarancja producenta: 60
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Pojemność dysku:
512 GB
Gwarancja producenta:
60
Format dysku:
M.2 2280
Typ dysku:
SSD
Kolor obudowy:
Czarny (Black)
Technika zapisywania danych:
TLC
Prędkość odczytu (max):
5000 MB/s
Prędkość zapisu (max):
2500 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
2000000 h
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
900.0
Odczyt losowy:
430000 IOPS
Zapis losowy:
530000 IOPS
Typ kości pamięci:
3D NAND
Manufacturer details
Hangzhou Hikstorage Technology Co., Ltd
Building 2, 399 Danfeng Road, Binjiang District
310000 Hangzhou
China
salessupport@hiksemitech.com
There is currently no comments or ratings for this product.
- Manufacturers
Professional e-commerce software
