-
Koszyk jest pusty
-
x
Do bezpłatnej dostawy brakuje
-,--
Darmowa dostawa!
Suma
0,00 zł
Cena uwzględnia rabaty
0,00 zł
0
-
Koszyk jest pusty
-
x
Do bezpłatnej dostawy brakuje
-,--
Darmowa dostawa!
Suma
0,00 zł
Cena uwzględnia rabaty
-
-
-
Koszyk jest pusty
-
x
Do bezpłatnej dostawy brakuje -,--Darmowa dostawa!Suma 0,00 złCena uwzględnia rabaty -
|
|
-
SAMSUNG Dysk SSD Samsung 990 EVO 1TB M.2 2280 PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0 (5000/4200 MB/s)
Symbol:
MZ-V9E1T0BW
Zarejestruj się, aby otrzymać za ten zakup 565 punktów lojalnościowych.
| Wpisz swój e-mail |
| Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
| Cena przesyłki | 0 |
| Dostępność |
|
| Zostaw telefon |
Rodzina dysków: 990 EVO
Pojemność dysku: 1 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 5000 MB/s
Prędkość zapisu (max): 4200 MB/s
Odczyt losowy: 700000 IOPS
Zapis losowy: 800000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Pamięć zapisu: Samsung V-NAND 3-bit TLC, Wymiary: 80 x 22 x 2.3 mm, Waga: Maks. 9 g, Interfejs: PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0, Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy), Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)
Gwarancja producenta [mies.]: 60
Pojemność dysku: 1 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 5000 MB/s
Prędkość zapisu (max): 4200 MB/s
Odczyt losowy: 700000 IOPS
Zapis losowy: 800000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Pamięć zapisu: Samsung V-NAND 3-bit TLC, Wymiary: 80 x 22 x 2.3 mm, Waga: Maks. 9 g, Interfejs: PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0, Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy), Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)
Gwarancja producenta [mies.]: 60
Pojemność dysku:
1 TB
Gwarancja producenta [mies.]:
60
Rodzina dysków:
990 EVO
Format dysku:
M.2 2280
Typ dysku:
SSD
Interfejs:
M.2 PCIe NVMe
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Typ złącza:
M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max):
5000 MB/s
Prędkość zapisu (max):
4200 MB/s
Technika zapisywania danych:
TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
Typ kości pamięci:
V-NAND
Odczyt losowy:
700000 IOPS
Zapis losowy:
800000 IOPS
Dane producenta
SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland
www.samsung.com/support
- Rekomendowane produkty
Sklep internetowy na oprogramowaniu Sky-Shop.pl
