-
MSI Dysk SSD MSI SPATIUM M450 500GB PCIe 4.0 NVMe M.2 2280 (3600/2300 MB/s) 3D NAND
Symbol:
S78-440K190-P83 / S78-440K220-P83
210.00
Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
Dostępność | Duża dostępność 54 szt. |
Zamówienie telefoniczne: 517694788
Zostaw telefon |
Pojemność dysku: 500 GB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 3600 MB/s
Prędkość zapisu (max): 2300 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 300.0
Odczyt losowy: 300000 IOPS
Zapis losowy: 550000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Złącze: PCIe Gen4x4, NVMe 1.4, Wymiary: 80.00mm (L) x 22.00mm (W) x 2.15mm (H), Operating Temperatures: 0°C - 70°C, LDPC (Low Density Parity Check) ECC Algorithm, End to End Data Path Protection, APST (Autonomous Power State Transition), TCG Pyrite (Encryption, Data Security), TRIM (Performance Optimization, OS support required), SMART (Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology)
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 3600 MB/s
Prędkość zapisu (max): 2300 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 300.0
Odczyt losowy: 300000 IOPS
Zapis losowy: 550000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Złącze: PCIe Gen4x4, NVMe 1.4, Wymiary: 80.00mm (L) x 22.00mm (W) x 2.15mm (H), Operating Temperatures: 0°C - 70°C, LDPC (Low Density Parity Check) ECC Algorithm, End to End Data Path Protection, APST (Autonomous Power State Transition), TCG Pyrite (Encryption, Data Security), TRIM (Performance Optimization, OS support required), SMART (Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology)
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Pojemność dysku:
500 GB
Format dysku:
M.2 2280
Typ dysku:
SSD
Typ złącza:
M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max):
3600 MB/s
Prędkość zapisu (max):
2300 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
300.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Odczyt losowy:
300000 IOPS
Zapis losowy:
550000 IOPS
Typ kości pamięci:
3D NAND
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
- Producenci