-
Koszyk jest pusty
-
x
Do bezpłatnej dostawy brakuje
-,--
Darmowa dostawa!
Suma
0,00 zł
Cena uwzględnia rabaty
0,00 zł
0
-
Koszyk jest pusty
-
x
Do bezpłatnej dostawy brakuje
-,--
Darmowa dostawa!
Suma
0,00 zł
Cena uwzględnia rabaty
-
-
-
Koszyk jest pusty
-
x
Do bezpłatnej dostawy brakuje -,--Darmowa dostawa!Suma 0,00 złCena uwzględnia rabaty -
|
|
Ocena produktu
-
HIKSEMI Dysk SSD HIKSEMI WAVE (P) 128GB M.2 PCIe NVMe Gen3x4 2280 (1200/950 MB/s) 3D NAND
Symbol:
HS-SSD-WAVE(P)(STD)/128G/PCIE3/WW
172.00
Zarejestruj się, aby otrzymać za ten zakup 172 punktów lojalnościowych.
| Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
| Cena przesyłki | 18.99 |
| Dostępność |
|
Zamówienie telefoniczne: 517694788
| Zostaw telefon |
Pojemność dysku: 128 GB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe
Prędkość odczytu (max): 1200 MB/s
Prędkość zapisu (max): 950 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 80.0
Odczyt losowy: 55000 IOPS
Zapis losowy: 180000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Maksymalny pobór prądu: 1.3 W, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C
Gwarancja producenta [mies.]: 36
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe
Prędkość odczytu (max): 1200 MB/s
Prędkość zapisu (max): 950 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 80.0
Odczyt losowy: 55000 IOPS
Zapis losowy: 180000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Maksymalny pobór prądu: 1.3 W, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C
Gwarancja producenta [mies.]: 36
Pojemność dysku:
128 GB
Kolor obudowy:
Czarny (Black)
Gwarancja producenta [mies.]:
36
Format dysku:
M.2 2280
Typ dysku:
SSD
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Prędkość odczytu (max):
1200 MB/s
Prędkość zapisu (max):
950 MB/s
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
80.0
Typ kości pamięci:
3D NAND
Odczyt losowy:
55000 IOPS
Zapis losowy:
180000 IOPS
Dane producenta
Hangzhou Hikstorage Technology Co., Ltd
Building 2, 399 Danfeng Road, Binjiang District
310000 Hangzhou
China
salessupport@hiksemitech.com
Osoba odpowiedzialna
INCOM GROUP S.A.
MOKRONOSKA 6
52-407 WROCŁAW
Poland
+48713588000
info@incomgroup.pl
- Opinie o produkcie
- Rekomendowane produkty
Sklep internetowy na oprogramowaniu Sky-Shop.pl
