-
Koszyk jest pusty
-
x
Do bezpłatnej dostawy brakuje
-,--
Darmowa dostawa!
Suma
0,00 zł
Cena uwzględnia rabaty
0,00 zł
0
-
Koszyk jest pusty
-
x
Do bezpłatnej dostawy brakuje
-,--
Darmowa dostawa!
Suma
0,00 zł
Cena uwzględnia rabaty
-
-
-
Koszyk jest pusty
-
x
Do bezpłatnej dostawy brakuje -,--Darmowa dostawa!Suma 0,00 złCena uwzględnia rabaty -
|
|
Ocena produktu
-
HIKSEMI Dysk SSD HIKSEMI Industrial V310N 128GB M.2 2280 SATA (560/500 MB/s) 3D NAND TLC
Symbol:
V310N 128G-WT1-4dJB1B
Zarejestruj się, aby otrzymać za ten zakup 423 punktów lojalnościowych.
| Wpisz swój e-mail |
| Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
| Cena przesyłki | 18.99 |
| Dostępność |
|
| Zostaw telefon |
Pojemność dysku: 128 GB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 SATA
Prędkość odczytu (max): 560 MB/s
Prędkość zapisu (max): 500 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 232.0
Odczyt losowy: 55000 IOPS
Zapis losowy: 80000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Informacje dodatkowe: Maksymalny pobór prądu: 0,8 W, Temperatura pracy: -25°C ~ 85°C(-13°F ~ +185°F), Temperatura przechowywania: -40°C ~ 85°C (-40°F ~ +185°F)
Gwarancja producenta [mies.]: 36
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 SATA
Prędkość odczytu (max): 560 MB/s
Prędkość zapisu (max): 500 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 232.0
Odczyt losowy: 55000 IOPS
Zapis losowy: 80000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Informacje dodatkowe: Maksymalny pobór prądu: 0,8 W, Temperatura pracy: -25°C ~ 85°C(-13°F ~ +185°F), Temperatura przechowywania: -40°C ~ 85°C (-40°F ~ +185°F)
Gwarancja producenta [mies.]: 36
Pojemność dysku:
128 GB
Gwarancja producenta [mies.]:
36
Format dysku:
M.2 2280
Typ dysku:
SSD
Interfejs:
M.2 SATA
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
2000000 h
Prędkość odczytu (max):
560 MB/s
Prędkość zapisu (max):
500 MB/s
Technika zapisywania danych:
TLC
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
232.0
Typ kości pamięci:
3D NAND
Odczyt losowy:
55000 IOPS
Zapis losowy:
80000 IOPS
Dane producenta
Hangzhou Hikstorage Technology Co., Ltd
Building 2, 399 Danfeng Road, Binjiang District
310000 Hangzhou
China
[email protected]
Osoba odpowiedzialna
INCOM GROUP S.A.
MOKRONOSKA 6
52-407 WROCŁAW
Poland
+48713588000
[email protected]
- Opinie o produkcie
Sklep internetowy na oprogramowaniu Sky-Shop.pl
